No, no estamos hablando de procesadores
que procesan imágenes o videos en tercera dimensión. Se trata de los
primeros procesadores que posee arquitectura en 3D. El denominado
Tri-Gate 3D es la nueva creación de Intel ¿Qué beneficios ofrecerá?
El diseño de tres dimensiones permite que los nuevos transistores utilizados en los CPUs puedan ser montados ocupando un menor espacio en las típicas placas de silicio, lo que permite reducir el tamaño, y por tanto, el precio de los futuros chips.
Intel mostró un nuevo tipo de transistor, el Tri-Gate 3D, el cual utiliza una arquitectura en su diseño de tres dimensiones que le permite operar en un espacio más pequeño y consumir menos energía que los diseños existentes en la actualidad. Éstos serán implementados en la nueva generación de procesadores Intel Core.
El nuevo transistor bautizado como Tri-Gate, en referencia al uso de tres superficies de conducción, supone la reinvención del transistor convencional. De este modo, los actuales transistores planos dejarán paso a los nuevos con conducciones tridimensionales que se alzan en vertical desde el sustrato de silicio.
El control del parámetro de corriente se realiza mediante la implementación de puertas a cada uno de los tres lados de la conducción. Los nuevos transistores serán implementados de forma inmediata en la siguiente generación de procesadores Intel Core pertenecientes a la generación Ivy Bridge. La compañía destaca que llega a ofrecer un 50 por ciento de ahorro de energía sobre los transistores planos, incluyendo la reducción de fugas de voltaje cuando sus núcleos se encuentran en estado de apagado.
Los nuevos transistores pueden ofrecer un rendimiento un 37 por ciento más rápido que los actuales, utilizando similares voltajes. Dentro de lo que es el proceso de fabricación de 22 nanómetros, y manejando una oblea de silicio similar a las actuales, podrían caber más de 6 millones de transistores Tri-Gate.
Transistores Tri-Gate 3D El diseño Tri-Gate 3D ahora anunciado, fue propuesto por Intel por vez primera allá por el año 2002, pero hasta el momento no se había considerado su producción masiva en grandes volúmenes. Los primeros chips que utilizarán la tecnología serán los denominados Ivy Bridge de 22 nanómetros, sucesores de los actuales Sandy Bridge, que previsiblemente llegarán a finales del año 2011. A la estructura actual en la que se utilizan transistores con “High K Metal gate”, se añadirá la indicada Tri-Gate 3D.
El diseño de tres dimensiones permite que los nuevos transistores utilizados en los CPUs puedan ser montados ocupando un menor espacio en las típicas placas de silicio, lo que permite reducir el tamaño, y por tanto, el precio de los futuros chips.
Intel mostró un nuevo tipo de transistor, el Tri-Gate 3D, el cual utiliza una arquitectura en su diseño de tres dimensiones que le permite operar en un espacio más pequeño y consumir menos energía que los diseños existentes en la actualidad. Éstos serán implementados en la nueva generación de procesadores Intel Core.
El nuevo transistor bautizado como Tri-Gate, en referencia al uso de tres superficies de conducción, supone la reinvención del transistor convencional. De este modo, los actuales transistores planos dejarán paso a los nuevos con conducciones tridimensionales que se alzan en vertical desde el sustrato de silicio.
El control del parámetro de corriente se realiza mediante la implementación de puertas a cada uno de los tres lados de la conducción. Los nuevos transistores serán implementados de forma inmediata en la siguiente generación de procesadores Intel Core pertenecientes a la generación Ivy Bridge. La compañía destaca que llega a ofrecer un 50 por ciento de ahorro de energía sobre los transistores planos, incluyendo la reducción de fugas de voltaje cuando sus núcleos se encuentran en estado de apagado.
Los nuevos transistores pueden ofrecer un rendimiento un 37 por ciento más rápido que los actuales, utilizando similares voltajes. Dentro de lo que es el proceso de fabricación de 22 nanómetros, y manejando una oblea de silicio similar a las actuales, podrían caber más de 6 millones de transistores Tri-Gate.
Transistores Tri-Gate 3D El diseño Tri-Gate 3D ahora anunciado, fue propuesto por Intel por vez primera allá por el año 2002, pero hasta el momento no se había considerado su producción masiva en grandes volúmenes. Los primeros chips que utilizarán la tecnología serán los denominados Ivy Bridge de 22 nanómetros, sucesores de los actuales Sandy Bridge, que previsiblemente llegarán a finales del año 2011. A la estructura actual en la que se utilizan transistores con “High K Metal gate”, se añadirá la indicada Tri-Gate 3D.
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